可擦除存储器-合肥启尔特-200度可擦除存储器价格

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从技术面观之，根据内存晶体管设计架构之不同可分为Cell Type以及Operation Type两种，后者依功能别又可区分为Code Flash（储存程序代码）以及Data Flash（储存一般数据）；其中Code Flash驱动方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驱动方式则有NAND及AND。

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EEPROM存储器原理

EEPROM存储器采用浮栅晶体管作为存储单元，通过向浮栅注入或移除电荷来改变晶体管的阈值电压，从而实现数据的存储。与传统ROM相比，EEPROM具有可擦除和可编程的特性，使得数据可以被修改。

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FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，210度可擦除存储器介绍，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。

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