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Flash 存储器的操作

对 Flash 存储器的操作一般是进行读、写和擦除。Flash 存储器的擦除必须是以1KB 为单位对齐的地址并哪一区块被擦除，或者全部擦除。

Flash 存储器的编程写入的地址必须以字(4 个字节)为单位对齐，且指明要写入的具体地址。也就是说可以是任意地址，但必须满足写入的地址是字对齐的。

Flash 存储器的读取也可以是任意地址的数据，但必须满足读取的地址是字对齐的，否则，静态存储器，读出的数据不正确，结果也难以预料。

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Flash 储存器的标准物理结构，称之为基本位（cell）；一般MOS闸极（Gate）和通道的间隔为氧化层之绝缘（gate oxide），而Flash 储存器的特色是在控制闸（Control gate）与通道间多了一层称为“浮闸”（floating gate）的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给内存的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。

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寄存器一般是指由基本的RS触发器结构衍生出来的D触发，就是一些与非门构成的结构，一般整合在CPU内，其读写速度跟CPU的运行速度基本匹配，但因为性能好，所以造价昂贵，一般好的CPU也就只有几MB的2级缓存，1级缓存更小。

存储器是在CPU外，210度原装静态存储器厂家，一般指硬盘，U盘等可以在切断电源后保存资料的设备，容量一般比较大，缺点是读写速度都很慢，普通的机械硬盘读写速度一般是50MB/S左右。

所以内存和寄存器的出现就是为了解决存储器读写速度慢而产生的多级存储机制。

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