150度原装静态存储器厂家-启尔特(在线咨询)-静态存储器

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1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的制作Flash的成本更廉价。

用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flash以外，150度进口静态存储器厂家，还做上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

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1.位翻转错误：EEPROM存储器中的存储单元可能会因为电子泄漏或干扰而发生位翻转，导致存储的数据发生错误。这种情况可能会导致系统崩溃或数据丢失。

2、写入错误：EEPROM存储器在写入数据时，静态存储器，可能会发生写入错误。这可能是由于电压不稳定、电流过大或其他原因引起的。写入错误可能导致存储的数据损坏或不完整。

3、擦除错误：EEPROM存储器在擦除数据时，可能会发生擦除错误。这可能是由于擦除电压不稳定、擦除时间过长或其他原因引起的。擦除错误可能导致存储的数据无法完全擦除或部分损坏。

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AM：Random Access Memory，随机访问存储器。以手机为例，RAM在手机上相当于运行内存，是用来存储和保存数据的。

RAM可以通过指令随机的、个别的对各个存储单元进行访问，一般访问时间基本固定，而与存储单元地址无关。

RAM的速度比较快，但是其保存的信息需要电力支持，一旦丢失供电即数据消失，所以又叫易失性存储器。

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