175度进口动态存储器批发-合肥启尔特-动态存储器

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擦除远存储内容的方法可以采用以下方法：电的方法（称电可改写ROM）或用紫外线照射的方法（称光可改写ROM）。光可改写ROM可利用高电压将资料编程写入，175度进口动态存储器批发，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。

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EEPROM在写新的数据前不需要先擦除，可以每次改写一个字节。这种灵活的擦写方式使得EEPROM在需要频繁更新数据的场景中具有优势。然而，EEPROM的读写速度相对较慢，且容量较小，150度原装动态存储器批发，价格较高。

Flash存储器在写新的数据前必须先擦除，而且经常是只允许整页擦除，没有办法擦除一个字节。这种成块的读写方式使得Flash存储器在写入大量数据时具有较高的效率。但需要注意的是，Flash存储器的擦除操作相对复杂，需要消耗较长的时间。

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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。

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