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RAM随机存取存储器(Random Access Memory)
CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后,所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同,RAM又分为两类:
SRAM静态RAM(Static RAM)
静态RAM速度非常快,只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低,功耗也较大。一般高速缓冲存储器(Cache memory)用它组成。
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EEPROM主要用于存储关键性的数据,如传感器的标定数据、用户配置参数等。由于其可编程性和灵活性,150度高温可编程存储器参数,EEPROM在需要频繁更新数据的嵌入式系统中得到广泛应用。
Flash存储器则更适用于存储大容量的数据记录,如文件、图片、字库等。此外,Flash存储器还常用于存储经常读但很少写的数据,200度可编程存储器参数,如操作系统代码、应用程序等。
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不可重写只读存储器,也可分为两类,包括掩模只读存储器(MROM)和可编程只读存储器(PROM)。
1、掩模只读存储器(MROM)
掩模只读存储器,又称固定ROM。这种ROM在制造时,生产商利用掩模(Mask)技术把信息写入存储器中,使用时用户无法更改,适宜大批量生产。
MROM又可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。
2、可编程只读存储器(PROM)
可编程只读存储器(Programmable ROM,简称PROM),是可由用户一次性写入信息的只读存储器,是在MROM的基础上发展而来的。
PROM的缺点是用户只能写入一次数据,写入后就不能再修改。
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