150度高温可编程存储器参数-可编程存储器-合肥(查看)

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FLASH存储器就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。

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擦除远存储内容的方法可以采用以下方法：电的方法（称电可改写ROM）或用紫外线照射的方法（称光可改写ROM）。光可改写ROM可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。

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Flash存储器是一种电可擦除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦除或读写。Flash存储器由多个层次的结构组成，包括Device、target、LUN、Block和Page等。其中，LUN是逻辑单元，可以独立执行一个命令或汇报状态；Block是擦除的小单元，由多个Page组成；Page是写入和读出的基本单位。Flash存储器的主要特点是高集成度、低功耗和长寿命。

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