可编程存储器-合肥启尔特-150度可编程存储器参数

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存储器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片厂商或用户分配，给存储器分配地址的过程称为存储器映射，如果再分配一个地址就叫重映射存储器映射ARM 将这 4GB 的存储器空间，平均分成了 8 块区域， 每块区域的大小是 512MB（1）Block0 内部区域功能划分Block0 主要用于设计片内的 FLASH，150度可编程存储器参数，0x0000 0000-0x0007FFFF：取决于 BOOT 引脚，为 FLASH、系统存储器、 SRAM 的别名。0x08000000-0x0807FFFF：片内 FLASH，175度可编程存储器参数，我们编写.

200度贴片存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。

单片机的数据存储器由读写存储器 RAM 组成。其大容量可扩展到 64k，用于存储实时输入的数据。8051 内部有 256 个单元的内部数据存储器，其中 00H～7FH 为内部随机存储器 RAM，80H～FFH 为寄存器区。实际使用时应首先充分利用内部存储器，从使用角度讲，搞清内部数据存储器的结构和地址分配是十分重要的。因为将来在学习指令系统和程序设计时会经常用到它们。8051 内部数据存储器地址由 00H 至 FFH 共有 256 个字节的地址空间，该空间被分为两部分，其中内部数据 RAM 的地址为 00H～7FH(即 0～127)。而用做特殊功能寄存器的地址为 80H～FFH。在此 256 个字节中，还开辟有一个所谓“位地址”区，该区域内不但可按字节寻址，还可按“位(bit)”寻址。对于那些需要进行位操作的数据，可以存放到这个区域。从 00H 到 1FH 安排了四组工作寄存器，每组占用 8 个 RAM 字节，记为 R0～R7。究竟选用那一组寄存器，由前述标志寄存器中的 RS1 和 RS0 来选用。在这两位上放入不同的二进制数，即可选用不同的寄存器组。

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FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄，210度可编程存储器参数，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，可编程存储器，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。

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