可编程存储器-175度高温可编程存储器参数-合肥(优选商家)

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EEPROM存储器原理

EEPROM存储器采用浮栅晶体管作为存储单元，通过向浮栅注入或移除电荷来改变晶体管的阈值电压，从而实现数据的存储。与传统ROM相比，EEPROM具有可擦除和可编程的特性，使得数据可以被修改。

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eRAM、MRAM和OUM这三种存储器与传统的半导体存储器相比有许多突出的优点，其应用前景十分诱人。近年来，人们对它们的研究己取得了可喜的进展，尤其是FeRAM己实现了初步的商业应用。但它们要在实际应用上取得进一步重大突破，还有大量的研究工作要做。同时存储技术的发展是没有止境的，但是追求更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低成本和更高可靠性的目标永远不会改变。

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按其制造工艺可分为

（1）双极型存储器特点：运算速度比磁芯存储器速度约快了 3个数量级，而且与双极型逻辑电路型式相同，使接口大为简化。

（2）MOS晶体管存储器特点：集成度高、容量大、体积小、存取速度快、价格便宜、功耗低、维护简单。

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