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动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。
210度存储器FLash合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
相比于 NOR Flash，150度高温可编程存储器参数，NAND Flash 写入性能好，大容量下成本低。 目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory 都属于 NAND Flash。PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，可编程存储器，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
闪速存储器（Flash ROM）是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器，是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器，Flash ROM突破了传统的存储器体系，改善了存储器产品的特性。
Flash ROM中的内容不像RAM一样需要电源支持才能保存，但又像RAM一样可重写。在某种低电压下，Flash ROM的内部信息可读不可写，类似于ROM，而在较高的电压下，其内部信息可以更改和删除，又类似于RAM。
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