可擦除存储器-合肥启尔特-175度高温可擦除存储器参数

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FLASH存储器就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。

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Flash存储器是一种电可擦除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦除或读写。Flash存储器由多个层次的结构组成，包括Device、target、LUN、Block和Page等。其中，LUN是逻辑单元，可以独立执行一个命令或汇报状态；Block是擦除的小单元，由多个Page组成；Page是写入和读出的基本单位。Flash存储器的主要特点是高集成度、低功耗和长寿命。

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EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗，210度高温可擦除存储器参数，因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式，175度高温可擦除存储器参数，则可以降低能耗。但是，可擦除存储器，EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗，因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显，通过功率门控的快速写入，非易失性存储器可以实现低的能耗。

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