企业等级: | 普通会员 |
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光擦可编程只读存储器(EPROM)
光擦可编程只读存储器(EPROM)的特点是内容可以用特殊的方式擦除和重写。EPROM出厂时,其存储内容为全「1」,用户可根据需要将部分内容改写为「0」,需要修改存储内容时,可将原存储内容擦除(恢复为全「1」),以便写入新的内容。
EPROM一般是将芯片用紫外线照射15~20分钟左右,以擦除其中的内容,然后用的EPROM写入器将信息重新写入,一旦写入则相对固定。在闪速存储器大量应用之前,EPROM常用于软件开发过程中。
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CPU根据RAM的地址将数据随机的写入或读出。电源切断后,所存数据全部丢失。按照集成电路内部结构不同,RAM又分为两类:
SRAM静态RAM(Static RAM)
静态RAM速度非常快,只要电源存在内容就不会消失。但他的基本存储电路是由6个MOS管组成1位。集成度较低,功耗也较大。一般高速缓冲存储器(Cache memory)用它组成。
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ,适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存储器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存储器,容量较小,如有需要的客户,欢迎来电。动态随机存储器(DRAM)
动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息,但由于栅极电容的容量很小,而漏电流又不可能等于0,所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失,必须定时地给电容补充漏掉的电荷。
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