210度高温静态存储器厂家-合肥启尔特-静态存储器

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FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。

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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，210度静态存储器厂家，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。

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不可重写只读存储器，也可分为两类，包括掩模只读存储器（MROM）和可编程只读存储器（PROM）。

1、掩模只读存储器（MROM）

掩模只读存储器，静态存储器，又称固定ROM。这种ROM在制造时，生产商利用掩模（Mask）技术把信息写入存储器中，150度静态存储器厂家，使用时用户无法更改，适宜大批量生产。

MROM又可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。

2、可编程只读存储器（PROM）

可编程只读存储器（Programmable ROM，简称PROM），是可由用户一次性写入信息的只读存储器，是在MROM的基础上发展而来的。

PROM的缺点是用户只能写入一次数据，写入后就不能再修改。

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