210度随机存储器介绍-随机存储器-合肥(查看)

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闪速存储器（Flash ROM）是20世纪80年代中期出现的一种块擦写型存储器，是一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器，Flash ROM突破了传统的存储器体系，改善了存储器产品的特性。

Flash ROM中的内容不像RAM一样需要电源支持才能保存，但又像RAM一样可重写。在某种低电压下，Flash ROM的内部信息可读不可写，类似于ROM，而在较高的电压下，其内部信息可以更改和删除，又类似于RAM。

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电擦可编程只读存储器（EEPROM或E2PROM）

EEPROM用电气方法将芯片中存储内容擦除，擦除速度较快，甚至在联机状态下也可以操作。相对来说，EPROM用紫外线擦除内容的操作就更复杂，速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式，使用字擦除方式可擦除一个存储单元，使用块擦除方式可擦除数据块中所有存储单元。

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EEPROM存储器特点

1.非易失性：EEPROM存储器在断电后仍能保持数据不丢失，210度随机存储器价格，适用于需要长期保存数据的场景。

2.可擦除性：EEPROM存储器可实现逐字节擦除，方便用户对数据进行修改。

3.可编程性：用户可根据需求对EEPROM存储器进行编程，150度随机存储器价格，实现数据的写入和读取。

4.高可靠性：EEPROM存储器具有较高的数据保持能力和耐久性，保证了数据的可靠性。

5.兼容性好：EEPROM存储器与标准微处理器接口兼容，易于集成到各种系统中。

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