动态存储器-合肥启尔特-210度动态存储器介绍

210度FLASH存储器合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。

擦除远存储内容的方法可以采用以下方法：电的方法（称电可改写ROM）或用紫外线照射的方法（称光可改写ROM）。光可改写ROM可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。

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存储器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片厂商或用户分配，给存储器分配地址的过程称为存储器映射，150度动态存储器介绍，如果再分配一个地址就叫重映射存储器映射ARM 将这 4GB 的存储器空间，平均分成了 8 块区域， 每块区域的大小是 512MB（1）Block0 内部区域功能划分Block0 主要用于设计片内的 FLASH，0x0000 0000-0x0007FFFF：取决于 BOOT 引脚，为 FLASH、系统存储器、 SRAM 的别名。0x08000000-0x0807FFFF：片内 FLASH，我们编写.

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新兴存储器(emerging memory)现在多指的是新的非挥发性存储器，主要包括相变半导体(Phase Change Memory；PCM)、可变电阻式存储器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。这些新兴存储器目前都在竞争储存级存储器(Storage Class Memory；SCM)的主要位置。

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